【陈星弼院士逝世】陈星弼院士是中国著名的半导体物理与器件专家，中国科学院院士、中国工程院院士，被誉为“中国功率半导体器件之父”。他一生致力于半导体领域的研究与教学，为中国微电子技术的发展作出了卓越贡献。2024年5月1日，陈星弼院士因病医治无效，在上海逝世，享年89岁。
陈星弼院士生平简要总结
| 项目 | 内容 |
| 姓名 | 陈星弼 |
| 出生日期 | 1935年6月 |
| 逝世日期 | 2024年5月1日 |
| 籍贯 | 浙江杭州 |
| 学历 | 清华大学电机系毕业 |
| 职业 | 教授、博士生导师、中国科学院院士、中国工程院院士 |
| 研究领域 | 半导体物理、功率半导体器件、集成电路设计 |
| 主要成就 | 中国功率半导体器件的奠基人之一；提出“场效应晶体管”理论；推动中国半导体产业技术发展 |
| 教育贡献 | 培养大批优秀科研人才，为中国微电子事业奠定基础 |
| 社会职务 | 曾任复旦大学教授、中国电子学会副理事长等 |
陈星弼院士的一生是奉献与创新的一生。他在学术研究中始终坚持严谨治学的态度，注重理论与实践相结合。他的研究成果不仅推动了国内半导体技术的发展，也提升了中国在国际半导体领域的影响力。
在他的带领下，中国的功率半导体器件研究逐步走向世界前列，为国家的科技发展和产业升级提供了坚实支撑。他的离世是中国科学界的重大损失，但他留下的精神财富和学术成果将继续激励后来者不断前行。